- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
Détention brevets de la classe H01L 21/04
Brevets de cette classe: 1914
Historique des publications depuis 10 ans
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48
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 4750 |
156 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
117 |
| Toshiba Corporation | 12017 |
107 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 14131 |
97 |
| Rohm Co., Ltd. | 5843 |
83 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 43934 |
79 |
| Denso Corporation | 23338 |
74 |
| Cree, Inc. | 1157 |
52 |
| Toyota Motor Corporation | 28582 |
38 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
36 |
| General Electric Company | 18133 |
32 |
| Wolfspeed, Inc. | 542 |
31 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5345 |
29 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3693 |
28 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
25 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
19 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
14 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
13 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
12 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
12 |
| Autres propriétaires | 860 |